반도체 디바이스의 제조 방법

Semiconductor device manufacturing method

Abstract

본 발명은, 칩 분할시의 불량 발생률이 저감되어, 수율 향상이 도모된 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법은, GaN 기판 내의 주요면과 교차하는 단면의 전위 밀도를 측정하여, 이 전위 밀도가 일정 수치 이하인 GaN 기판을 선택하는 전위 밀도 평가 공정과, 전위 밀도 평가 공정에서 선택된 GaN 기판 위에 기능 소자부를 적층시킨 후, 칩 형상으로 분할하는 분할 공정을 포함한다.

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