Semiconductor memory apparatus

반도체 메모리 장치

Abstract

PURPOSE: A semiconductor memory apparatus is provided to extend the time required for accessing a memory cell by extending a refresh period. CONSTITUTION: In a semiconductor memory apparatus, a bit line sense amp unit(10) senses and amplifies the data of the bit line pair by drive power. The bit line sense amp unit transfers amplified data to a memory cell. A power source generating unit(20) generates a pull-up and a pull-down power source driving signal. The pull-up and pull-down power source driving signal are activated when applying an active command. The pull-up and pull-down power source driving signal are deactivated when applying a precharge command. An over driving power driving signal generation unit generates a pull-up overdriving power source driving signal. A power control unit(40) drives a pull-up driving voltage by a pull-up power line. The power control unit drives a pull-down driving voltage by the pull-down power line. The power control unit drives an overdriving voltage by the pull-up power line.
메모리 셀의 데이터 유지시간(Data Retention Time)을 향상시킨 반도체 메모리 장치가 개시된다. 이를 위한 반도체 메모리 장치는, 풀업 전원라인 및 풀다운 전원라인을 통해서 공급되는 구동전원으로 비트라인 쌍의 데이터를 감지증폭하여 증폭된 데이터를 메모리 셀에 전달하는 비트라인 감지증폭부; 액티브 커맨드 인가시에 활성화 되고 프리차지 커맨드 인가시에 비활성화 되는 풀업 및 풀다운 전원 구동신호를 생성하는 전원구동신호 생성부; 프리차지 펄스신호에 응답하여 예정된 시간동안 활성화 되는 풀업 오버 드라이빙 전원 구동신호를 생성하는 오버 드라이빙 전원구동신호 생성부; 및 상기 풀업 전원 구동신호에 응답하여 상기 풀업 전원라인으로 풀업 구동전압을 구동하고, 상기 풀다운 전원 구동신호에 응답하여 상기 풀다운 전원라인으로 풀다운 구동전압을 구동하며, 상기 풀업 오버 드라이빙 전원 구동신호에 응답하여 상기 풀업 전원라인으로 상기 풀업 구동전압 보다 높은 전압레벨의 오버 드라이빙 전압을 구동하는 전원 구동부;를 구비한다. 반도체 메모리 장치, 데이터 유지시간, 오버 드라이빙, 데이터 쓰기, 메모리 셀

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    US-9460766-B2October 04, 2016Samsung Electronics Co., Ltd.Memory device, and memory system including the same