연마용 조성물 및 그것을 사용한 연마 방법

Polishing composition and polishing method using the same

Abstract

연마 후의 반도체 기판 표면의 헤이즈를 저감하는 것이 가능한 것에 더하여, 동 표면으로의 파티클 부착도 억제하는 것이 가능한 연마용 조성물 및 그러한 연마용 조성물을 사용하여 반도체 기판을 연마하는 방법을 제공한다. 본 발명의 연마용 조성물은, 분자량이 1,000 이상 100,000 미만이고 또한 HLB 값이 17 이상인 비이온 활성제, 염기성 화합물 및 물을 함유한다. 비이온 활성제는, 옥시알킬렌의 단독 중합체 또는 복수 종류의 옥시알킬렌의 공중합체인 것이 바람직하다. 연마용 조성물은, 이산화규소 및 수용성 고분자 중 적어도 어느 한쪽을 더 함유해도 좋다.

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